日本半导体制造新锐企业Rapidus近日宣布，已正式启动2纳米制程GAA（全环绕栅极）晶体管的试制工作，并首次展示了其2nm工艺晶圆样品。这标志着全球最先进芯片制造技术从台积电、三星和英特尔主导的局面进入了一个新的竞争阶段。

7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，正式启动了2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的试制，并成功展示了其首块2nm GAA晶圆。这一进展标志着日本在先进制程技术领域迈出了关键一步，也为未来2nm制程的量产奠定了基础。

IT之家 7 月 18 日消息，日本先进半导体制造商 Rapidus 今日正式宣布启动 2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块 2nm GAA 晶圆。这也是 最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑 ...

7 月 18 日消息，日本先进半导体企业 Rapidus 宣布已正式开始试制 2nm GAA（全环绕栅极）晶体管，并公开展示了首批 2nm GAA 晶圆。这一进展标志着全球最先进逻辑制程竞争格局正从“三强并立”演变为“四雄争霸”的新局面。

最近，日本半导体制造商Rapidus宣布了一个令人振奋的消息：他们成功启动了2纳米（nm）环绕栅极（GAA, Gate-All-Around）晶体管的试制，并展示了第一块采用这种先进技术制造的晶圆。这不仅标志着Rapidus在追求最尖端半导体工艺方面迈出了关键一步，也让我们看到了日本半导体产业重振雄风的决心。

最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”，再进一步。 日本半导体制造商Rapidus宣布启动2nm GAA晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。 去年12月， ...

三星近年来持续通过先进制造工艺争取客户，但这一进程遭遇了不小的挑战。这些困难不仅使得其位于泰勒的工厂投产时间延后至2026年，也影响到了1.4纳米工艺的研发进展，原因在于公司正集中资源提升2纳米环绕栅极（GAA）技术的良率。

日本半导体制造商Rapidus宣布启动2nm GAA晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。 本文源自：金融界 ...

gaa纳米片晶体管在提高密度的同时，提供了功率和性能优势，但它们仅用于最尖端的工艺节点。 目前，全世界只有三星在其3nm节点上生产这种技术。

《学习时报》2025年07月18日刊登商务部党组书记、部长王文涛署名文章《投资中国就是投资未来》，文章中提到，扩大外资开放领域。落实制造业领域外资准入限制措施“清零”要求，持续清理负面清单之外的限制性措施，确保开放举措落地实施。在负面清单以外的领域， ...

首先，gaa晶体管解决了许多有关泄漏电流的挑战，因为gaa通道采用水平架构。 GAA技术堆栈多个水平纳米片或纳米线，并在每一侧面以栅极材料包围这些通道，因而实现了比FinFET更高的载流能力——FinFET需要将多个垂直「鳍片」(fin)彼此并排放置以增加电流。

gaa制程技术是芯片微影技术的一项重要里程碑，随着美国和世界其他地方前所未有的晶圆厂扩建潮，该技术可能变得更加重要。先进半导体制造领域的三家大厂——台积电、三星和英特尔，目前都已经有了完整的gaa制程路线图。