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日本半导体制造新锐企业Rapidus近日宣布,已正式启动2纳米制程GAA(全环绕栅极)晶体管的试制工作,并首次展示了其2nm工艺晶圆样品。这标志着全球最先进芯片制造技术从台积电、三星和英特尔主导的局面进入了一个新的竞争阶段。
台积电目前最先进的2纳米制程工艺预计将在今年下半年开始量产,到年底时月产能将达到4万至5万片晶圆。据相关报道,公司计划在2026年将2纳米工艺的月产能提升至9万至10万片,并预计到2027年进一步增长至16万至18万片。通过进一步扩充生产线,未来甚至有望达到20万片的月产能,届时该工艺节点或将成为台积电产能最高的先进制程,成为企业重要的营收来源。
IT之家 7 月 21 日消息,综合《经济日报》和 ChosunBiz 两家媒体的报道,台积电当下最先进的 2nm 制程工艺在今年下半年量产后到今年末的产能将达 40000~50000 WPM (晶圆 / 月) 。
7月20日消息,据Tom’s hardware 的报导,日本新创晶圆代工厂商Rapidus 已经启动了2nm制程晶圆的测试生产,并计划推动其IIM-1 厂区的2nm制程在2027年量产。报道称,Rapidus的IIM-1 ...
十轮网科技资讯 on MSN7 小时
日本Rapidus试生产2纳米GAA技术芯片,预计2027年正式进入量产阶段根据外媒报道,日本创业公司芯片制造商Rapidus已启动2纳米芯片的测试生产,并将其IIM-1厂区的量产目标订于2027年。 根据Tomshardware的报道,在Rapidus日本的IIM-1厂区已经展开对采用2纳米闸极全环 (GAA) ...
近日,日本芯片制造企业Rapidus宣布,已启动2nm晶圆的测试生产,计划在2027年实现量产。这一进展标志着日本在先进半导体制造领域迈出了关键一步。据相关报道,Rapidus位于日本的IIM-1工厂已经开始进行基于2nm全环绕栅 ...
最近,日本半导体制造商Rapidus宣布了一个令人振奋的消息:他们成功启动了2纳米(nm)环绕栅极(GAA, Gate-All-Around)晶体管的试制,并展示了第一块采用这种先进技术制造的晶圆。这不仅标志着Rapidus在追求最尖端半导体工艺方面迈出了关键一步,也让我们看到了日本半导体产业重振雄风的决心。
7月18日,日本半导体制造商Rapidus宣布,已在其创新集成制造工厂(IIM-1)启动2纳米全环绕栅极(GAA)晶体管结构的原型试制,原型晶圆并已启动电性参数测试。Rapidus表示,在正开发一款与创新集成制造工厂2纳米工艺兼容的工艺开发套件,并将 ...
7月18日消息,日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA(注:全环绕栅极)晶体管的试制,并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。
IT之家 7月18日消息,日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA(IT之家注:全环绕栅极)晶体管的试制,并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。
Rapidus 于 2023 年 9 月 1 日举行了其首座晶圆厂 IIM-1 的奠基仪式、2024 年 12 月完成了洁净室准备,2025 年 4 月 1 日实现了初始图案的曝光与显影,到 2025 年 6 月完成了由 200 多个制造单元构成的生产线。
ZAKER on MSN3 天
Rapidus在其代工厂实现2nm GAA晶体管原型设计的重要里程碑(全球TMT2025年7月18日讯)先进逻辑半导体制造商Rapidus公司宣布,其2nm栅极全能(GAA)晶体管结构的原型设计已经在Rapidus的创新集成制造(IIM-1)代工厂开始试制。原型晶圆已启动电性参数测试。
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